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        產品信息

        4H 半絕緣型

        SiC單晶襯底

        4H Semi-Insulating

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        當前位置 >4H-半絕緣型襯底
        天岳先進不斷追求更高的晶體質量和加工質量
        更好的滿足客戶的需求
        目前可批量供應4&6英寸產品
        8英寸產品正在研發中

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        基本信息

        半絕緣型
        • 晶型 4H
        • 直徑(mm) 100 & 150
        • 偏角(°) 0
        • 厚度(μm) 500
        • 表面狀態 Epi-ready

        微波射頻器件

        通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成HEMT等微波射頻器件,應用于信息通訊、無線電探測等領域。

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