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        關于天岳

        概況

        About SICC

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        Crystallize the future.
        • 山東天岳先進科技股份有限公司
          SICC Co.,Ltd.
        • 2010年11月2日
        • 宗艷民
        • RMB  429,711,044.00
        • 山東省濟南市槐蔭區天岳南路99號
        • 濟南工廠   濟寧工廠   上海工廠   日本公司

        From SiC to SICC

        山東天岳先進科技股份有限公司成立于2010年11月,是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發、生產和銷售的科技型企業。公司秉承“先進·品質·持續”的經營理念,以滿足客戶需求、幫助客戶解決問題為導向,重視產品品質和服務品質,自主掌握工藝技術,積極拓展市場,追求業務可持續發展。

        碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料,和傳統材料相比具有更加優異的物理性能,可以有效提升下游器件的功率密度和整體性能,在電力電子以及微波電子領域有著廣泛的應用前景。但優越的物理性能背后是精密且復雜的制備工藝,碳化硅單晶的生長需要在高溫低壓密閉環境下進行,且微小的環境變化都會引起晶格錯亂從而影響襯底材料的品質。

        公司依托卓越的研發團隊和多年積累的產業化經驗,重視技術引領、品質提升,長期堅持創新,以打造一體化解決方案為核心,完善服務、完善產品,力爭成為國際著名的半導體材料公司。

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